| 料號 | 封裝 | 結構 | 反向重復電壓 | 正向平均電流 | 正向不重復峰值電流 | 結到管殼的熱阻 | 總存儲電荷 | ||
| IF(A) | Ifsm(A) | RTH-JC（℃/W） | Qc(nC) | ||||||
| ID | Package | Config. | Vrrm(V) | Tc=160℃ | Tc=125℃ | Tc=25℃ | Tc=25℃ | typ | TJ=25℃ |
| G5S12010A | T0-220AC | 單芯 | 1200 | 10(156℃) | 15.7（135℃） | 33 | 120 | 1 | 55（VR=800V） |
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網址：www.pztdt.cn
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經營產品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
版權所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號版權所有 模仿必究
