120V低內(nèi)阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業(yè)界傳統(tǒng)的低壓MOS制程，大幅降低RDS內(nèi)阻切換損失。
臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù)，將內(nèi)阻值死磕到底，肉眼可見的出類拔萃。
美瑞電子致力于推動品質(zhì)專線邁入普惠時代，帶入千行百業(yè)。
120V低內(nèi)阻MOS 綠星DG120N01S
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臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù)，將內(nèi)阻值死磕到底，肉眼可見的出類拔萃。
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