HCS65R380S MOSFET參數詳解

基本信息

HCS65R380S是一款超結高壓MOSFET，由Semihow公司生產。Semihow擁有超過10年在三星功率半導體工作的研發團隊，具備強大的技術研發實力。該產品主要用于600V~900V的電壓系列，具有多種封裝形式，如TO-220、TO-220F、DPAK、IPAK等。

主要參數

電壓特性

• 最大漏極-源極電壓（VDS）：650V

• 柵極-源極電壓（VGS）：最小導通電壓2V，最大導通電壓4V

電氣特性

• 最大漏極電流（ID）：10.4A @ 25℃

• 導通電阻（RDS(ON)）：最大0.38Ω @ VGS=10V

• 柵極電荷（Qg）：22.6nC

• 漏極-源極電容（Cds）：133pF

封裝信息

• 封裝形式：TO-220FS

工作原理

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種電壓控制元件。它利用金屬層（柵極）隔著氧化層（絕緣層）和半導體（源極和漏極）之間的電場效應來控制電流的流動。MOSFET具有高開關速度、低噪聲、高抗輻射能力等優點，同時體積小、重量輕、耗電省、壽命長。

應用領域

HCS65R380S因其出色的電氣特性和可靠性，廣泛應用于電力電子領域，特別是在需要高效能和高可靠性的電源管理電路中。其高壓特性使其成為開關電源、電機控制等應用的理想選擇。

注意事項

在使用HCS65R380S時，需要注意其散熱問題，因為高功率操作會產生大量熱量。建議采用合適的散熱解決方案，如安裝散熱器或使用風扇輔助散熱。

綜上所述，HCS65R380S是一款性能優異的超結高壓MOSFET，適用于多種高性能電力電子設備。在選擇和使用時，應充分考慮其電氣參數和應用需求，以確保系統的穩定運行和長期可靠性。