新品介紹
TOLL封裝SiC MOSFET
隨著新能源市場進入高速發(fā)展期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封裝技術(shù)也需持續(xù)進步。
隨著下游市場的多樣化需求增長，功率分立器件封裝產(chǎn)品也逐漸向定制化和專業(yè)化方向發(fā)展，揚杰科技推出了一系列TOLL封裝SiCMOSFET產(chǎn)品,非常適合大功率、大電流、高可靠性等應(yīng)用場景的需求。
產(chǎn)品特點：
1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)，出色的散熱性能，有著優(yōu)異的溫升表現(xiàn)，提高了產(chǎn)品的可靠性;
2.低的封裝電阻，低的寄生電感，出色的EMI表現(xiàn)；并且有著KS源極，開關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應(yīng)用條件；
3.與TO-263封裝相比，TOLL封裝的PCB占板面積減少了30%，高度減低了50%，電路板空間減少 60%，更適合高功率密度應(yīng)用場合。
電性參數(shù)：
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TOLL封裝SiC MOSFET
隨著新能源市場進入高速發(fā)展期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封裝技術(shù)也需持續(xù)進步。
隨著下游市場的多樣化需求增長，功率分立器件封裝產(chǎn)品也逐漸向定制化和專業(yè)化方向發(fā)展，揚杰科技推出了一系列TOLL封裝SiCMOSFET產(chǎn)品,非常適合大功率、大電流、高可靠性等應(yīng)用場景的需求。
產(chǎn)品特點：
1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)，出色的散熱性能，有著優(yōu)異的溫升表現(xiàn)，提高了產(chǎn)品的可靠性;
2.低的封裝電阻，低的寄生電感，出色的EMI表現(xiàn)；并且有著KS源極，開關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應(yīng)用條件；
3.與TO-263封裝相比，TOLL封裝的PCB占板面積減少了30%，高度減低了50%，電路板空間減少 60%，更適合高功率密度應(yīng)用場合。
電性參數(shù)：
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
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經(jīng)營產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
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