產(chǎn)品介紹：
1.揚杰科技推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2.電壓等級為650V，電流等級為50A@Tc=100℃；
3.產(chǎn)品主要用于光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用；
4.低導通損耗，低開關(guān)損耗，高可靠性；
5.產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標準；
產(chǎn)品特點：
1.最高結(jié)溫Tjmax=175℃;
2.正溫度系數(shù)；
3.具有650V的高耐壓；
4.低導通損耗，低開關(guān)損耗，滿足高頻應(yīng)用條件；
5.微溝槽最新平臺芯片方案，更具性價比的選擇；
產(chǎn)品介紹：
1.揚杰科技推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2.電壓等級為650V，電流等級為50A@Tc=100℃；
3.產(chǎn)品主要用于光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用；
4.低導通損耗，低開關(guān)損耗，高可靠性；
5.產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標準；
產(chǎn)品特點：
1.最高結(jié)溫Tjmax=175℃;
2.正溫度系數(shù)；
3.具有650V的高耐壓；
4.低導通損耗，低開關(guān)損耗，滿足高頻應(yīng)用條件；
5.微溝槽最新平臺芯片方案，更具性價比的選擇；
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：www.pztdt.cn
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
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