IGBT模塊的規格

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊的規格通常涵蓋以下幾個方面：

1. 電壓等級

   • 常見范圍：600V、1200V、1700V、3300V、6500V等，高壓型號（如6.5kV以上）用于工業級應用。

2. 電流容量

   • 從幾安培（A）到數千安培（kA），例如10A~3600A，具體取決于模塊設計和散熱能力。

3. 封裝形式

   • 標準封裝：如常見的“半橋”“全橋”或“六單元”拓撲結構，封裝類型包括：

     • 模塊化封裝（如Infineon的EconoPIM、PrimePACK）

     • 壓接式封裝（高壓領域）

     • 智能功率模塊（IPM）（集成驅動和保護電路）。

4. 開關頻率

   • 通常為幾kHz到幾十kHz（如2kHz~50kHz），高頻型號（如SiC-IGBT混合模塊）可達100kHz以上。

5. 熱特性

   • 結溫范圍：-40℃~175℃，需配合散熱器或液冷系統使用。

IGBT模塊的主要應用領域

IGBT模塊因其高效、高功率密度和可靠性，廣泛應用于以下領域：

1. 工業控制

   • 變頻器：驅動電機（如數控機床、起重機）。

   • 焊接設備：逆變式焊機的高頻開關。

2. 新能源與電力電子

   • 光伏逆變器：將直流電轉換為交流電。

   • 風力發電：變流系統中的功率調節。

   • 儲能系統：雙向DC-AC轉換。

3. 交通運輸

   • 電動汽車：電驅系統（如特斯拉的逆變器）、充電樁。

   • 高鐵/軌道交通：牽引變流器和輔助電源。

4. 家用電器

   • 變頻空調、電磁爐等高能效設備。

5. 醫療與特種設備

   • X光機、粒子加速器等需要高精度功率控制的場景。

補充說明

• 技術趨勢：第三代半導體（如SiC-IGBT混合模塊）正在擴展高頻、高溫應用場景。

• 選型建議：需根據電壓、電流、開關損耗及散熱條件綜合匹配。