超結MOS是英文Super Junction的直譯，英飛凌注冊商標為Cool MOS，所以國內的廠家都命名為超結MOS，它是在普通平面MOS基礎上使用新型超結結構設計的MOS管。這種技術通過在垂直溝槽結構中外延N-層建立深入的p型區，形成更大的PN結，在器件返偏時，能形成很厚的PN耗盡層，以達到高的隔離電壓。超結MOS管主要在500V、600V、650V及800V以上高電壓場合使用。

超結MOS的工藝包括：

多層外延工藝（Multi-EPI）和深溝槽工藝（Deep-Trench）。這兩種工藝都旨在實現超結MOSFET的優異性能，但各有其特點和優勢。

1. 多層外延工藝（Multi-EPI）

概述：
多層外延工藝是開發較早且較為成熟的工藝。它基于平面硅生長技術，通過多次摻雜、熱推進和生長多層摻雜不同的外延層，形成多個PN結，從而實現超結MOS的結構。

多層外延工藝主要集中在歐美品牌以及韓國品牌，比如SEMIHOW，英飛凌等。

優點：

• 高電壓承受能力：相比傳統的Super Junction技術，Multi-EPI的SJ技術能夠實現更高的電壓承受能力。

• 低導通電阻：多層外延工藝通過優化摻雜濃度和結構設計，能夠顯著降低導通電阻。

• 優良的可靠性：由于整個外延過程是基于平整界面生長，外延位錯缺陷會比較少，因此在漏電、高溫可靠性、長期可靠性等方面具有很好的優勢。

• 生產成本降低：雖然工藝復雜，但相比其他技術，它能在一定程度上降低生產成本。

缺點：

• 制備工藝復雜：多層外延工藝需要多次摻雜和生長步驟，增加了工藝難度和成本。

• 光刻控制困難：多次光刻和掩膜步驟可能導致精度控制上的挑戰。

2. 深溝槽工藝（Deep-Trench）

概述：
深溝槽工藝是一種相對簡單的實現超結技術的方法。它首先通過外延設備生長一層外延層，然后通過深槽刻蝕設備刻出深寬比很高的溝槽，再通過外延方式將溝槽填充起來，形成P柱結構。

深溝槽工藝主要集中在中國大陸品牌，以華虹晶圓為主的產品，目前也有少量多層外延工藝的產品在研發并推出市場。

優點：

• 工藝簡單：由于只需要一次掩刻和填充，工藝步驟相對較少，成本較低。

• 提高可靠性：減少晶體缺陷，從而提高產品的可靠性和穩定性。

• 動態特性良好：在某些應用中，其動態特性可能優于多層外延工藝。

缺點：

• 形貌控制難：硅在深槽過程中，側邊與底部蝕刻形貌很難控制到很平滑，可能影響器件性能。

• 空洞問題：晶體外延填充過程中容易導致溝槽底部形成不規則的空洞，影響長期高溫工作時的可靠性。

• 動態特性相對差：由于界面接近突變結，動態特性可能不如多層外延工藝。

超結MOS的主要作用包括：

1. 降低導通電阻：相較于傳統VDMOS，相同電流、電壓規格的超結MOSFET的導通電阻僅為傳統VDMOS的一半左右。這得益于其特殊的芯片內部結構設計，使得在相同的芯片面積下，超結MOS的內阻更低。

2. 提高開關速度：超結MOSFET的開通和關斷速度較傳統VDMOS快30%以上，這有助于降低動態損耗，提高電源系統的效率。

3. 減小芯片體積：由于超結MOS的內阻低，可以在保證性能的同時減小芯片面積，從而有利于設計更小體積的電源電路，降低產品成本。

4. 降低發熱：較低的導通電阻和開關速度意味著更低的損耗，進而減少了發熱量，這對于對溫度要求高的產品如充電頭等尤為重要。

5. 提升效率：使用超結MOSFET后，電源效率可以上升1～2個百分點，這對于提高整體能源利用效率具有重要意義。

6. 易于集成封裝：超結MOSFET可以與驅動IC一起進行集成封裝，進一步降低產品體積和成本。

7. 適用領域廣泛：超結MOSFET以其優異的性能被廣泛應用于電源、電機控制、照明等領域，特別適合于中低功率水平下的高速運行需求。

總結

超結MOS作為一種創新的半導體器件技術，通過其獨特的超結結構設計，在降低導通電阻、提高開關速度、減小芯片體積、降低發熱和提升效率等方面展現出顯著優勢。這些特點使得超結MOS在高壓、高頻、高效率的電力電子應用中具有廣闊的前景。